GH4169高溫合金與單晶DD3焊接界面特征

專家采用SEM,TEM及EDS對制造焊接式整體渦輪葉盤所用的單晶DD3與細晶GH4169高溫合金摩擦焊接界面進行了研究.

結(jié)果表明,焊合區(qū)存在一條以GH4169合金為主的摩擦變形帶,兩側(cè)單晶和細晶合金的熱力影響區(qū)均形成了動態(tài)再結(jié)晶晶粒;連接界面處于兩側(cè)合金的動態(tài)再結(jié)晶晶粒之間,通過連接界面上的共有晶粒和共有晶界實現(xiàn)了兩側(cè)合金的連接;成分過渡主要發(fā)生在連接界面處的共有晶粒內(nèi)和共有晶界處.TEM分析位置的共有晶粒(C2)與相鄰GH4169動態(tài)再結(jié)晶晶粒(C3)具有特殊的取向關(guān)系:[1ˉ14]C2∥[1ˉ10]C3和(220)C2∥(220)C3;在摩擦焊熱循環(huán)及焊后熱處理作用下,共有晶粒、兩側(cè)動態(tài)再結(jié)晶晶粒都存在γ'相析出,γ'相呈細小的球形分布,并與γ基體共格,但未發(fā)現(xiàn)有γ"相析出.